三星电子大动作：全面推进组织重构，正式宣布LED事业部战略调整

10月11日消息，据近期报道透露，三星DS部门（设备解决方案）正探讨一项策略，拟将原本集中在设备技术研究院的科研力量分散部署至各具体生产现场的“晶圆厂”，旨在紧密融合研发与制造流程。

三星电子开始了以现场为中心的组织全面重组，正在推进将研发人员全面部署到生产现场的方案，并决定退出失去竞争力的 LED 业务。

此次组织重组的核心在于强化协作和沟通。尤其是设备技术研究所等研发组织与现场生产线的日常部署方案正在成为有力的选项。据悉，关于人事考核权的分配，公司正在考虑将其交由生产线而非总部。

三星电子决定退出 DS 部门下的非核心领域 ——LED 业务，并已进入整理阶段。LED 业务团队主要负责电视用 LED、智能手机闪光灯用 LED、汽车前灯 LED 模块。虽然该业务每年大约能带来约 2 万亿韩元（当前约 105.14 亿元人民币）的销售额，但公司决定专注于核心领域。

一位半导体行业人士表示：“随着三星电子成长为全球第一的企业，组织变得庞大，由此引发了部门之间的隔阂，导致公司有时无法明确方向。未来如何改善这些问题，将决定三星电子能否恢复其根本的竞争力。”

当天，由于业绩不佳的影响，三星电子股价下跌 2.32%，跌至 58800 韩元（当前约 309 元人民币），创下 1 年 7 个月以来的最低点，被称为“5 万三星电子”。

三星HBM3E内存历经革新，终获NVIDIA认可，高性能之战再下一城

近日消息，三星电子宣布其最新的HBM3E内存已顺利通过NVIDIA的严格认证测试流程，预期将于下一季度启动对NVIDIA的批量供货，此消息预示着高性能计算领域将迎来存储技术的重大升级。

此前，三星电子为了集中力量发展HBM技术，已对其半导体业务线进行了多次调整，包括成立专门的HBM小组和改组DS（设备解决方案）部门等，誓要拿下NVIDIA这个大客户。

业界预期，三星电子将在7月31日的财务报告会议上宣布这一消息，三星电子的HBM3E内存技术采用自家的4nm制程工艺制造逻辑芯片，目前该工艺的良品率已超过70%。

此外，三星电子的HBM3E内存技术通过NVIDIA认证，不仅有助于公司重新夺回HBM技术和市场份额，还可能对DRAM市场供应产生影响。

据估计，三星电子可能会从其DRAM产能中调拨约30%专项生产HBM，这将削减约13%的全球DRAM供应量，进一步推高DRAM价格。

业界普遍认为，随着NVIDIA下一代Blackwell架构的预期需求，HBM内存的需求量将大幅增加，三星电子有望成为NVIDIA的重要供应商。

三星电子发力未来XR内存技术，积极研发LLW DRAM，剑指苹果新一代设备订单

7月18日消息，三星电子目前正致力于LLW DRAM内存技术的研发，此举是为了抢滩未来苹果Vision Pro后续型号或其他新型头显设备的内存供应合同，凸显其在高端存储解决方案领域的前瞻性布局。

LLW DRAM 全称 Low Latency Wide I/O DRAM，是一种高性能特殊内存，拥有数量众多的 I/O 引脚，具备高带宽低延迟低功耗的优势。

三星电子宣称，其 LLW DRAM 内存产品可实现 128GB/s 的带宽，同时能耗仅有 1.2pJ/bit。

据此前报道，与苹果 Vision Pro 头显上 R1 芯片配套的 LLW DRAM 内存由 SK 海力士独家供应，可提供 256GB/s 带宽。

该内存单颗容量为 1GB，I/O 引脚数量是传统内存的八倍。如果以目前 LPDDR5 内存的 64bit 作为基础，那 SK 海力士提供的 LLW DRAM 内存位宽可达 512bit。

韩媒报道提到，苹果曾于 2022 年同三星电子就 LLW DRAM 供应进行过洽谈，但最终 SK 海力士得到了这份订单。

三星电子正积极开发 LLW DRAM内存技术，目前正处于小规模生产阶段，目标未来从 SK 海力士的手中夺取这一细分领域的市场份额。