韩媒：三星电子着手4nm制程HBM4逻辑芯片的试生产工作

1月3日消息，在韩国当地的媒体报道中指出，三星电子内部非常重要的DS部门旗下负责内存（也就是存储器）业务的部门有了新的重大进展。近期，该部门顺利地完成了HBM4内存逻辑芯片的设计工作，这一设计成果对于三星在内存芯片技术领域有着重要意义。

而与之相关的Foundry业务部，在得到这一设计成果之后迅速行动起来，目前已经依据这个精心完成的设计开始采用先进的4nm制程来进行试生产工作。这一系列的动作表明三星电子在内存芯片的研发与生产进程方面又迈向了新的阶段，它或许将在全球内存芯片市场上带来新的竞争格局变化，也预示着三星在高科技芯片制造技术方面持续深耕的决心和能力。

待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的 HBM4 内存样品。

逻辑芯片也称基础裸片、接口芯片，在整体 HBM 内存堆栈中起到“大脑”的作用，负责控制其上方多层 DRAM Die。在 HBM4 世代，由于内存堆栈 I/O 引脚数量加倍、需集成更多功能等一系列因素，三大内存原厂均采用逻辑半导体代工制造逻辑芯片。

业内人士表示，运行时的发热是 HBM 内存的最大敌人，而在堆栈整体中逻辑芯片更是发热大户，采用先进制程制造逻辑芯片有助于改善 HBM4 的能效与性能表现。

三星电子试图在 HBM4 上采取相对激进的技术路线以挽回在 HBM3 (E) 世代因质量原因而丢失的 HBM 内存市场份额：除采用自家 4nm 工艺制造逻辑芯片外，三星电子还将在 HBM4 上导入 1c nm 制程 DRAM Die，并有望在 16Hi 堆栈中引入无凸块的混合键合技术。

三星Galaxy Watch Ultra表盘全面兼容，即将适配Watch 4/5/6系列，经典设计新享受

7月18日消息，三星为 Galaxy Watch Ultra 带了全新的表盘设计，有海外网友在官方论坛询问这些表盘是否会下放到更多产品，得到肯定的答复。

三星社区论坛版主透露，由于拥有软件和硬件双重优势，Watch Ultra 表盘目前是该型号独有的，不过它与 Watch4/5/6 具有相同的 One UI，新的表盘最终将集成到以前的型号中。

论坛版主没有披露这些表盘何时推送以及兼容细节，预计这些表盘将通过 Galaxy Wearable 应用程序发布。

预计适配型号：

Galaxy Watch 4

Galaxy Watch 4 Classic

Galaxy Watch 5

Galaxy Watch 5 Pro

Galaxy Watch 6

Galaxy Watch 6 Classic

三星 Galaxy Watch Ultra 智能手表国行版于昨晚刚刚发布，该产品采用钛金属机身与蓝宝石水晶玻璃，可耐受 55°C 高温与 10ATM 水压，提供钛岩灰、钛铂银和钛瓷白三款配色，售价为 4999 元。

时隔两年，三星半导体Q2业绩望重返巅峰，势压台积电问鼎全球榜首

7月17日消息，根据多家媒体报道，2024年第二季度，三星电子的半导体部门表现强劲，有望自近两年来首次超越行业巨头台积电(TSMC)，重新夺回全球半导体销售冠军的宝座。

这一转变主要得益于全球对人工智能(AI)相关芯片的旺盛需求，特别是服务器和数据中心对高性能内存芯片的大量采购。

自2022年第三季度三星失去行业龙头地位后，已连续七个季度落后于台积电，但随着存储市场的复苏和AI芯片需求的激增，三星电子的业绩开始显著回升。

2023年下半年，存储市场在减产、价格反弹和AI芯片需求的推动下逐步回暖，为三星电子带来了积极的业绩影响。

今年第一季度，三星电子设备解决方案（DS）部门实现了1.91万亿韩元的营业利润，结束了五个季度的亏损状态。

尽管台积电在晶圆代工领域以61.7%的市占率遥遥领先，但三星电子第二季度公布的营业利润达到了10.4万亿韩元，营收同比增长23.31%，达到了74万亿韩元。

如果最终公布的数据显示DS部门营收超过28.5万亿韩元，三星将超越台积电，重新夺回全球半导体销售的领导地位。